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Estudo do efeito NBTI em transistores MOS sem junções
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018)
No presente trabalho, a degradação por efeito NBTI (Negative Bias Temperature Instability) foi analisada em transistores MOS sem junções (JNTs) com canal tipo P. O efeito NBTI incide sobre a confiabilidade dos dispositivos, ...
Avaliação da influência da evolução das tecnologias de fabricação de nanofios transistores MOS sobre suas características elétricas
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018)
Este trabalho tem por objetivo estudar a influência de diferentes tecnologias de fabricação de nanofios transistores MOS modo inversão (NWs) através da avaliação e comparação de suas características elétricas, obtidas ...