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Estudo de transistores SOI MOS de perfil trapezoidal através de simulação numérica tridimensional
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)
Os dispositivos SOI MOS de múltiplas portas estão entre os transistores não planares de melhor desempenho, uma vez que, ao possuir o canal envolvido por mais de uma porta é maior o controle sobre as cargas no interior do ...