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Modelos analíticos para efeitos de canal curto em transistores de porta dupla simétricos e assimétricos
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016)
A tecnologia Silício-sobre-Isolante (Silicon-on-Insulator - SOI) tem evoluído e oferecido novas arquiteturas para os dispositivos. Dentre os novos dispositivos, o FinFET e o UTBB estão entre os poucos que permitem o ...
Influência da temperatura no ruído de baixa frequência em transistores SOI de canal gradual (GC SOI) submicrométricos
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016)
O ruído é uma perturbação indesejada que ocorre na tensão e corrente elétrica, proveniente de meios internos ou externos, fazendo com que elas oscilem aleatoriamente. O valor de amplitude que tal perturbação irá apresentar ...