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Modelagem de nanofios transistores MOS sem junções de porta dupla e tripla
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015)
Este trabalho tem por objetivo o desenvolvimento de um modelo contínuo em todas as regiões de operação, para descrever a corrente elétrica de transistores MOS sem junções de canal curto. Para desenvolver este modelo, é ...
Impacto da utilização da associação série assimétrica de transistores SOI nas características elétricas de espelhos de corrente
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015)
Este trabalho tem o objetivo de estudar o comportamento de espelhos de corrente de fonte comum implementados com Associações Séries Simétricas e Assimétricas de transistores SOI nMOSFET totalmente depletados, comparando-os ...