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Modelagem, simulação e caracterização elétrica da associação série assimétrica de transistores SOI
(Centro Universitário FEI, São Benardo do Campo, 2018)
Este trabalho tem como objetivo o estudo do desempenho analógico da associação série assimétrica (A-SC) composta por transistores planares e de múltiplas portas em tecnologia Silício-Sobre-Isolante (SOI). A estrutura A-SC ...
Implementação do modelo contínuo estático e dinâmico de nanofios transistores MOS sem junções usando linguagem Verilog-A para projeto de circuitos CMOS
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018)
Este trabalho tem como objetivo a implementação do modelo analítico estático e dinâmico do transistor MOS sem junções, proposto por Trevisoli et al. em linguagem VERILOG-A para utilização em simuladores do tipo SPICE. Esta ...
Estudo do efeito de autoaquecimento em transistores SOI-MOSFET fabricados em tecnologia de camadas ultra finas (UTB e UTBB)
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018)
A tecnologia silício sobre isolante (Silicon-on-Insulator – SOI), aplicada à transistores MOS de efeito de campo, constitui um dos avanços na área de micro e nanoeletrônica. Uma vez adotada em substituição aos transistores ...