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Influência das dimensões geométricas no comportamento da corrente de fuga em dispositivos SOI nMOSFETs de múltiplas portas em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010)
Neste trabalho foi avaliado o comportamento da corrente de fuga do dreno (IDLeak) em
transistores de multiplas portas (MuGFET) canal N na tecnologia de Silicio sobre Isolante
(SOI), operando desde a temperatura ambiente ...
Estudo comparativo do comportamento elétrico entre o wave SOI nMOSFET e o convencional
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010)
Análise do comportamento estático e dinâmico de inversores lógicos SOI MOSFET operando em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010)
Este trabalho apresenta estudos iniciais referentes ao comportamento de um inversor lógico SOI MOSFET operando desde a temperatura ambiente à temperatura de 300ºC. Os resultados apresentados neste trabalho foram obtidos ...
Efeito da tensão mecânica biaxial em transistores SOI totalmente depletados em função da temperatura
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010)
Neste trabalho é apresentado um estudo dos efeitos da tensão mecânica biaxial associada à redução de temperatura nas características elétricas de transistores SOI MOSFETs com tecnologia planar de porta única. A atenção ...