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Estudo do efeito de autoaquecimento em transistores SOI-MOSFET fabricados em tecnologia de camadas ultra finas (UTB e UTBB)
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018)
A tecnologia silício sobre isolante (Silicon-on-Insulator – SOI), aplicada à transistores MOS de efeito de campo, constitui um dos avanços na área de micro e nanoeletrônica. Uma vez adotada em substituição aos transistores ...