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Análise de descasamento nas características elétricas de SOI nMOSFET de canal gradual operando em saturação
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
Os transistores da tecnologia Silício-sobre-Isolante (SOI Silicon-On-Insulator) apresentam vantagens em relação à tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) convencional (BULK), tais como diminuição do ...