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Estudo das capacitâncias de porta em transistores MOS sem junção
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Este trabalho consiste em apresentar e analisar o comportamento das capacitâncias de porta de um transistor sem junção (JNT). Os transistores sem junção apresentam uma estrutura semelhante aos transistores FinFET. A única ...