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Mostrando ítems 1-4 de 4
Leiaute diamante par MOSFETS sob os efeitos das radiações ionizantes
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
Os circuitos integrados (CIs) e eletrônicos são bastante influenciados pelas radiações ionizantes. Para atender os rigorosos requisitos de operação desses CIs em ambiente espacial, há necessidade da realização de testes ...
Análise de descasamento nas características elétricas de SOI nMOSFET de canal gradual operando em saturação
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
Os transistores da tecnologia Silício-sobre-Isolante (SOI Silicon-On-Insulator) apresentam vantagens em relação à tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) convencional (BULK), tais como diminuição do ...
Efeitos das radiações ionizantes de raios-X no SOI nMOSFET com geometria de porta octogonal
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
This work explores the analog and digital applications of unconventional layouts for Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) manufactured in Silicon-On-Insulator Technology (SOI) under a X-ray ionizing ...
Desenvolvimento de nanofios transistores em substratos SOI com espessuras nanométricas
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
Atualmente, uma série de trabalhos reportados na literatura mundial aponta a tecnologia Silício-sobre-Isolante (Silicon-On-Insulator SOI) como uma possível substituta da tecnologia MOS convencional na fabricação de ...