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Implementação das leiautes e estudo comparativo experimental entre MOSFETs planares de potência fabricados com diferentes estilos de leiaute
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015)
reduzir as dimensões do dispositivo e melhorar o desempenho elétrico dos transistores de efeito de campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFETs). Uma vertente que surge como uma alternativa sem gerar custos adicionais para o ...
Influência de parâmetros tecnológicos e geométricos sobre o desempenho de transistores SOI de canal gradual
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015)
Este trabalho tem como objetivo estudar a influência de parâmetros tecnológicos, geométricos e de polarização sobre o comportamento analógico dos transistores Silício-Sobre-Isolante nMOSFET de Canal Gradual (GC SOI), ...
Influência da temperatura sobre o desempenho analógico da associação série assimétrica de transistores SOI MOS
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015)
Neste trabalho é apresentada uma análise dos efeitos da variação da temperatura sobre as características analógicas da associação série assimétrica (Asymmetric Self-Cascode – A-SC) de transistores nMOS implementados em ...