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A influência das altas temperaturas no comportamento da corrente de fuga do dreno em transistores Cynthia SOI NMosfets
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Neste trabalho de mestrado foi realizada a investigacao do comportamento da corrente de fuga do dreno (IDLEAK) em dispositivos Cynthia SOI nMOSFETs operando em altas temperaturas, atraves de simulacoes numericas tridimensionais, ...
Caracterização elétrica de amplificadores operacionais de transcondutância implementado com GC SOI MOSFETs
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Neste trabalho é apresentado um estudo da caracterização elétrica de amplificadores operacionais de transcondutância (OTA) implementados com transistores SOI de canal gradual (GC SOI) e, também fazer a validação do modelo ...
Estudo do comportamento da corrente de fuga do dreno do transistor SOI NMOSFET de canal delta operando em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Este estudo apresenta a investigação do comportamento da corrente de fuga do dreno em transistores tipo SOI nMOSFET canal delta (canal triangular) em função das dimensões geométricas do canal, isto é, comprimento de canal ...
Estudo da distribuição da corrente em MUGFETS e modelagem da resistência de espraiamento em FINFETS nanométricos
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
O foco deste trabalho é estudar os caminhos da corrente em transistores de múltiplas portas em três regimes de operação (sublimiar, limiar e pós-limiar) e, a partir deste estudo, analisar e modelar o efeito do espraiamento ...
Estudo das capacitâncias de porta em transistores MOS sem junção
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Este trabalho consiste em apresentar e analisar o comportamento das capacitâncias de porta de um transistor sem junção (JNT). Os transistores sem junção apresentam uma estrutura semelhante aos transistores FinFET. A única ...
Estudo de modelos de mobilidade para simulação de dispositivos de múltiplas portas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
A utilização da tecnologia SOI ajudou a melhorar a escalabilidade dos transistores mas, com a redução das dimensões, permaneceram relevantes alguns efeitos adversos e indesejáveis. Esses efeitos impulsionaram o desenvolvimento ...
Estudo do efeito de autoaquecimento em transistores com canal por medida pulsada
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
A tecnologia do transistor MOS com Silício sobre Isolante (SOI) tem aberto oportunidade para inovação, aumento de desempenho e redução do tamanho do dispositivo, que a
tecnologia CMOS "bulk" tem dificuldade para alcançará. ...