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Simulação analítica de espelhos de corrente utilizando associação série do transistores SOI MOSFET
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2020)
Este trabalho apresenta uma análise das vantagens da utilização de associação série simétrica (S-SC) e assimétrica (A-SC) de SOI nMOSFETs em relação ao transistor SOI MOSFET isolado (ST) em blocos analógicos básicos. Além ...
Projeto, implementação e modelagem compacta de transistores MOSFET na configuração pseudorresistor para circuitos aplificadores de biosinais
(2020)
Este trabalho apresenta o desenvolvimento de um macromodelo PWL (PieceWise Linear) para a simulação SPICE de um pseudorresistor. A motivação da criação do modelo surgiu do fato que os pseudorresistores não conseguem ter o ...
Associação série assimétrica de transistores SOI MOS de camada de silício e óxido enterrado uktrafinos (UTBB) para aplicações analógicas de alto desempenho
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2020)
Este trabalho apresenta uma análise, realizada através de simulações numéricas bidimensionais, simulações SPICE e caracterizações experimentais, de associações série (SC), implementadas na tecnologia Camada de Silício e ...
Efeito de eventos únicos em transistores MOS: classificação dos eventos via redes neurais profundas
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2020)
Dispositivos eletrônicos são suscetíveis a defeitos causados por radiação ionizante, e o uso destes dispositivos é cada vez mais requisitado em aplicações embarcadas que operam em ambientes agressivos (presença de radiação) ...