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Estudo dos MOSFETs com estilo de leiaute do tipo elipsoidal
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016)
O objetivo deste trabalho é realizar um estudo comparativo experimental e por simulação numérica tridimensional (3D) entre os transistores de efeito de campo do tipo Metal-Óxido-Semicondutor (Metal-Oxide-Semiconductor, ...