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Influência de parâmetros tecnológicos e geométricos sobre o desempenho de transistores SOI de canal gradual
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015)
Este trabalho tem como objetivo estudar a influência de parâmetros tecnológicos, geométricos e de polarização sobre o comportamento analógico dos transistores Silício-Sobre-Isolante nMOSFET de Canal Gradual (GC SOI), ...