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Impacto da utilização de transistores GC SOI MOSFET como espelhos de correntes para a obtenção de fontes de corrente de alto desempenho em circuitos integrados
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2007)
Neste trabalho é apresentado o estudo do impacto da utilização de transistores
fabricados a partir da tecnologia SOI com dopagem assimétrica na região de canal (Graded-
Channel - GC SOI MOSFET) em espelhos de corrente ...
Estudo experimental da resposta em frequência entre o MOSFET do tipo diamante e o equivalente convencional para as tecnologias CMOS convencioanl e SOI
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2013)
As pesquisas atuais têm como objetivo a redução nas dimensões dos circuitos integrados, o que tem sido alcançado com o desenvolvimento de novas tecnologias de transistores, como por exemplo, os MOSFETs tridimensionais, ...
Projeto de circuitos integrados digitais utilizando-se de ferramentas computacionais de demonstração e profissional
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2014)
Projeto de um OTA CMOS por meio de um sistema evolucionário integrado ao spice
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2011)
O projeto de circuitos integrados analógicos é uma tarefa complexa devido ao grande número de variáveis de entrada a serem determinadas simultaneamente com o intuito de atender as inúmeras especificações de um projeto de ...
Estudo de um regulador linear de tensão CL-LDO tolerante às radiações ionizantes para aplicações aeroespaciais
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018)