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Estudo e fabricação de MOSFETs robustos à radiação para aplicações espaciais de circuitos integrados
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2011)
Atualmente circuitos integrados comerciais robustos a radiacao tem alto valor comercial, por causa da alta tecnologia envolvida (processo de manufatura e leiautes especiais), baixo volume de producao, acordos comerciais, ...
Estudo comparativo do comportamento elétrico entre os MOSFETS dos tipos wave e convencionais equivalentes operando em ambientes de radiações ionizantes
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016)
Neste trabalho realizou-se um estudo comparativo experimental entre um novo estilo de leiaute para ser empregado em Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs), denominado de Wave, cujo formato de porta é ...