Buscar
Mostrando ítems 1-3 de 3
Estudo de transistores SOI MOS de perfil trapezoidal através de simulação numérica tridimensional
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)
Os dispositivos SOI MOS de múltiplas portas estão entre os transistores não planares de melhor desempenho, uma vez que, ao possuir o canal envolvido por mais de uma porta é maior o controle sobre as cargas no interior do ...
Modelagem analítica de transistores SOI de canal gradual com porta dupla
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)
Apresenta-se neste trabalho o desenvolvimento de um modelo analítico para transistores nMOSFET de porta dupla (Double-Gate - DG) com canal gradual (Graded-Channel - GC) fabricados em tecnologia Silício sobre Isolante ...
Estudo da transcondutância e da razão da transcondutância sobre a corrente de dreno SOI nMOSFET de porta em formato de anel circular utilizando tecnologia SOI CMOS de 0,13 um
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)
Neste trabalho é apresentado o estudo comparativo entre o comportamento da transcondutãncia e da razão da transcondutãncia em função da corrente de dreno normalizada em função da razão de aspecto do SOI nMOSFET convencional ...