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ruído telegráfico em transistores sem junções
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2021)
Neste trabalho é apresentado um estudo dos efeitos causados pelas armadilhas de interface em transistores MOS (Metal Oxide Semiconductor) sem junções (Junctionless Nanowire Transistors – JNTs), mais especificamente de uma ...
Desenvolvimento de uma técnica baseada no conceito de bombeamento de cargas para extração das armadilhas de interface em transistores MOS sem junções
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2021)
Neste trabalho, é apresentado um estudo que visa deteminar a densidade de armadilhas de interface em transistores MOS sem junções (JNT). Uma vez que a quantidade de defeitos
contida nas interfaces do dispositivo está ...