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Mostrando ítems 1991-2000 de 2182
Trapezoidal cross-sectional influence on FinFET threshold voltage and corner effects
(2008)
Fin field effect transistors (FinFETS) are silicon-on-insulator (SOI) transistors with three-dimensional structures. As a result of some fabrication-process limitations (as nonideal anisotropic overetch) some FinFETs have ...
Enabling factors and strategies for the transition toward a circular economy (CE)
(2018)
© 2018 by the authors.This study aims to identify and analyze the enabling factors and strategies for the structuring and diffusion of a circular business model. Circular model structuring involves several actors, challenges, ...
Plasma-like vacuum in podolsky regularized classical electrodynamics
(2011)
We analyze wave propagation in the vacuum of Podolsky regularized electrodynamics. Two kinds of waves were found in the theory: the traditional non-dispersive waves of Maxwell electrodynamics, and a dispersive wave reminiscent ...
Transmissão de dados sem fio com IoT em cidades inteligentes
(2021-12-01)
No contemporâneo mundo globalizado, a transmissão de dados a longas distâncias
se torna cada vez mais necessária. O atual conceito de interconexão digital de objetos cotidianos com a internet oferece uma oportunidade de ...
Efeitos do autoaquecimento em transistores SOI-MOS tridimensionais nanométricos
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016)
O autoaquecimento é um efeito que os dispositivos SOI MOSFETs estão sujeitos, quando a potência dissipada na forma de calor encontra dificuldade em dissipar-se para fora do dispositivo. Este efeito é muito comum e ocorre ...
Análise bibliométrica da produção científica brasileira sobre gestão educacional
(2020-12-05)
Diante do aumento da complexidade no processo de aferição da qualidade das instituições de
ensino brasileiras por parte do Ministério da Educação, bem como por outros fatores, como a
competitividade entre as instituições ...
Comparative experimental study between tensile and compressive uniaxially stressed nmugfets under x-ray radiation focusing on analog behavior
(2013)
This paper describes a detailed experimental comparative study between nMuGFETs implemented with tensile and compressive stresses when submitted to X-ray radiation, taking into account different doses and different channel ...