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Efeitos do autoaquecimento em transistores SOI-MOS tridimensionais nanométricos
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016)
O autoaquecimento é um efeito que os dispositivos SOI MOSFETs estão sujeitos, quando a potência dissipada na forma de calor encontra dificuldade em dissipar-se para fora do dispositivo. Este efeito é muito comum e ocorre ...
Comparative experimental study between tensile and compressive uniaxially stressed nmugfets under x-ray radiation focusing on analog behavior
(2013)
This paper describes a detailed experimental comparative study between nMuGFETs implemented with tensile and compressive stresses when submitted to X-ray radiation, taking into account different doses and different channel ...
Estudo do efeito do autoaquecimento em transistores MOSFETS fabricados em estruturas FINFETS e estruturas FINFETS modificadas
(Centro Universitário da Fei, São Bernardo do Campo, 2013)
Para tecnologias CMOS iguais ou menores que 22 nm, os dispositivos de efeito de campo verticais de múltiplas portas (MuGFETs) têm sido apontados como uma alternativa para substituir os dispositivos planares fabricados em ...