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Análise do comportamento estático e dinâmico de inversores lógicos SOI MOSFET operando em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010)
Este trabalho apresenta estudos iniciais referentes ao comportamento de um inversor lógico SOI MOSFET operando desde a temperatura ambiente à temperatura de 300ºC. Os resultados apresentados neste trabalho foram obtidos ...
Estudo do HALO em transistores SOI MOSFETs ultra-submicrométricos em função da temperatura
(Centro Universitário da Fei, São Bernardo do Campo, 2008)
Neste trabalho é apresentado o estudo da influência do HALO em transistores SOI parcialmente depletado (PD SOI MOSFET). A partir das características do processo de fabricação da estrutura do HALO e do auxílio de um simulador ...
Estudo do comportamento da corrente de fuga em transistores de portas circulares SOI MOSFET operando em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)
Neste trabalho é apresentado um estudo da corrente de fuga em dispositivos SOI MOSFETs operando em altas temperaturas em duas estruturas geométricas: de porta retangular e de porta circular (CG). Estas estruturas são ...
Estudo do tipo octo em ambientes de radiações ionizantes de raios-x
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019)
Estudo dos MOSFETs com estilo de leiaute do tipo elipsoidal
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016)
O objetivo deste trabalho é realizar um estudo comparativo experimental e por simulação numérica tridimensional (3D) entre os transistores de efeito de campo do tipo Metal-Óxido-Semicondutor (Metal-Oxide-Semiconductor, ...
Influência da temperatura sobre o desempenho analógico da associação série assimétrica de transistores SOI MOS
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015)
Neste trabalho é apresentada uma análise dos efeitos da variação da temperatura sobre as características analógicas da associação série assimétrica (Asymmetric Self-Cascode – A-SC) de transistores nMOS implementados em ...
Estudo da transcondutância e da razão da transcondutância sobre a corrente de dreno SOI nMOSFET de porta em formato de anel circular utilizando tecnologia SOI CMOS de 0,13 um
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)
Neste trabalho é apresentado o estudo comparativo entre o comportamento da transcondutãncia e da razão da transcondutãncia em função da corrente de dreno normalizada em função da razão de aspecto do SOI nMOSFET convencional ...
Efeitos das radiações ionizantes de raios-X no SOI nMOSFET com geometria de porta octogonal
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
This work explores the analog and digital applications of unconventional layouts for Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) manufactured in Silicon-On-Insulator Technology (SOI) under a X-ray ionizing ...
Estudo do efeito de autoaquecimento em transistores SOI-MOSFET fabricados em tecnologia de camadas ultra finas (UTB e UTBB)
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018)
A tecnologia silício sobre isolante (Silicon-on-Insulator – SOI), aplicada à transistores MOS de efeito de campo, constitui um dos avanços na área de micro e nanoeletrônica. Uma vez adotada em substituição aos transistores ...
Estudo da linearidade em transistores SOI de porta dupla com estrutura de canal gradual
(Centro Universitário da Fei, São Bernardo do Campo, 2007)
Neste trabalho é apresentado um estudo da não-linearidade introduzida por dispositivos de porta circundante (GAA), com e sem a presença da estrutura de canal gradual (GC). Esta estrutura é assim denominada por exibir dois ...