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Estudo comparativo do comportamento elétrico entre o wave SOI nMOSFET e o convencional
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010)
Implementação do modelo contínuo estático e dinâmico de nanofios transistores MOS sem junções usando linguagem Verilog-A para projeto de circuitos CMOS
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018)
Este trabalho tem como objetivo a implementação do modelo analítico estático e dinâmico do transistor MOS sem junções, proposto por Trevisoli et al. em linguagem VERILOG-A para utilização em simuladores do tipo SPICE. Esta ...
Análise do comportamento estático e dinâmico de inversores lógicos SOI MOSFET operando em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010)
Este trabalho apresenta estudos iniciais referentes ao comportamento de um inversor lógico SOI MOSFET operando desde a temperatura ambiente à temperatura de 300ºC. Os resultados apresentados neste trabalho foram obtidos ...
Estudo do tipo octo em ambientes de radiações ionizantes de raios-x
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019)
Estudo dos MOSFETs com estilo de leiaute do tipo elipsoidal
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2016)
O objetivo deste trabalho é realizar um estudo comparativo experimental e por simulação numérica tridimensional (3D) entre os transistores de efeito de campo do tipo Metal-Óxido-Semicondutor (Metal-Oxide-Semiconductor, ...
Influência da temperatura sobre o desempenho analógico da associação série assimétrica de transistores SOI MOS
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015)
Neste trabalho é apresentada uma análise dos efeitos da variação da temperatura sobre as características analógicas da associação série assimétrica (Asymmetric Self-Cascode – A-SC) de transistores nMOS implementados em ...
Efeitos das radiações ionizantes de raios-X no SOI nMOSFET com geometria de porta octogonal
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
This work explores the analog and digital applications of unconventional layouts for Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) manufactured in Silicon-On-Insulator Technology (SOI) under a X-ray ionizing ...
Estudo do efeito de autoaquecimento em transistores SOI-MOSFET fabricados em tecnologia de camadas ultra finas (UTB e UTBB)
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2018)
A tecnologia silício sobre isolante (Silicon-on-Insulator – SOI), aplicada à transistores MOS de efeito de campo, constitui um dos avanços na área de micro e nanoeletrônica. Uma vez adotada em substituição aos transistores ...
Efeito da tensão mecânica biaxial em transistores SOI totalmente depletados em função da temperatura
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010)
Neste trabalho é apresentado um estudo dos efeitos da tensão mecânica biaxial associada à redução de temperatura nas características elétricas de transistores SOI MOSFETs com tecnologia planar de porta única. A atenção ...