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Mostrando ítems 1-10 de 31
A influência das altas temperaturas no comportamento da corrente de fuga do dreno em transistores Cynthia SOI NMosfets
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Neste trabalho de mestrado foi realizada a investigacao do comportamento da corrente de fuga do dreno (IDLEAK) em dispositivos Cynthia SOI nMOSFETs operando em altas temperaturas, atraves de simulacoes numericas tridimensionais, ...
Leiaute diamante par MOSFETS sob os efeitos das radiações ionizantes
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2017)
Os circuitos integrados (CIs) e eletrônicos são bastante influenciados pelas radiações ionizantes. Para atender os rigorosos requisitos de operação desses CIs em ambiente espacial, há necessidade da realização de testes ...
Estudo do comportamento das correntes de fuga do dreno do Diamante SOI nMOSFET em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Desempenho de transistores GC SOI MOSFETs submicrométricos
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Este trabalho tem como objetivo demonstrar o desempenho do transistor SOI de canal gradual (Graded-Channel - GC) submicrométrico a partir da comparação com o transistor SOI MOSFET convencional, detalhando suas características ...
Estudo e fabricação de MOSFETs robustos à radiação para aplicações espaciais de circuitos integrados
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2011)
Atualmente circuitos integrados comerciais robustos a radiacao tem alto valor comercial, por causa da alta tecnologia envolvida (processo de manufatura e leiautes especiais), baixo volume de producao, acordos comerciais, ...
Implementação das leiautes e estudo comparativo experimental entre MOSFETs planares de potência fabricados com diferentes estilos de leiaute
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2015)
reduzir as dimensões do dispositivo e melhorar o desempenho elétrico dos transistores de efeito de campo Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFETs). Uma vertente que surge como uma alternativa sem gerar custos adicionais para o ...
Estudo experimental da resposta em frequência entre o MOSFET do tipo diamante e o equivalente convencional para as tecnologias CMOS convencioanl e SOI
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2013)
As pesquisas atuais têm como objetivo a redução nas dimensões dos circuitos integrados, o que tem sido alcançado com o desenvolvimento de novas tecnologias de transistores, como por exemplo, os MOSFETs tridimensionais, ...
Análise das propriedades básicas do sic VDMOSFET (WBG) para aplicações de tração automotiva
(Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo, 2019)
A frota veicular no mundo está passando por uma grande transição em sua matriz energética, principalmente porque governos e entidades estão preocupados com os altos níveis de poluição. Esta pesquisa foca no uso de transistores ...
Influência das dimensões geométricas no comportamento da corrente de fuga em dispositivos SOI nMOSFETs de múltiplas portas em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2010)
Neste trabalho foi avaliado o comportamento da corrente de fuga do dreno (IDLeak) em
transistores de multiplas portas (MuGFET) canal N na tecnologia de Silicio sobre Isolante
(SOI), operando desde a temperatura ambiente ...
Estudo do comportamento da corrente de fuga do dreno do transistor SOI NMOSFET de canal delta operando em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2012)
Este estudo apresenta a investigação do comportamento da corrente de fuga do dreno em transistores tipo SOI nMOSFET canal delta (canal triangular) em função das dimensões geométricas do canal, isto é, comprimento de canal ...