Search
Now showing items 41-45 of 45
Estudo da distorção harmônica em transistores de porta circular usando tecnologia SOI CMOS sub-micrométrica de 0,13um
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)
Neste trabalho é apresentado o estudo comparativo de distorção harmônica entre transistores SOI nMOSFEts parcialmente depletados de porta de geometria circular e convencional, operando na região de saturação e em temperatura ...
Trapezoidal cross-sectional influence on FinFET threshold voltage and corner effects
(2008)
Fin field effect transistors (FinFETS) are silicon-on-insulator (SOI) transistors with three-dimensional structures. As a result of some fabrication-process limitations (as nonideal anisotropic overetch) some FinFETs have ...
Avaliação do comportamento elétrico de capacitores MOS em altas temperaturas
(Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo, 2008)
Este trabalho apresenta o estudo do comportamento do capacitor da tecnologia MOS por meio da análise da curva característica da capacitância em função da tensão de polarização aplicada à porta do dispositivo, operando em ...
Study of matching properties of graded-channel SOI MOSFETs
(2008-01-05)
In this paper an overall analysis on the matching properties of Graded-Channel (GC) SOI MOSFETs in comparison to conventional SOI transistors is performed. Experimental results show that GC devices present poorer matching ...