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dc.contributor.advisorSilva Junior, Walter Pereira
dc.contributor.authorAlencar, Wallace Constantino Alves de
dc.contributor.authorAlves, Gustavo Pimentel
dc.contributor.authorAlves, Marcos Aurélio
dc.contributor.authorFurtado, Lucas Borba
dc.date.accessioned2023-12-18T11:51:51Z
dc.date.accessioned2026-04-28T15:49:32Z
dc.date.available2023-12-18T11:51:51Z
dc.date.available2026-04-28T15:49:32Z
dc.date.issued2023-12-05
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12032/186908
dc.description.abstractO presente trabalho apresenta o estudo com simulação numérica e experimental de um conversor bidirecional de ponte ativa dupla (DAB) com modulação de dois níveis e deslocamento de fase entre elas para transmissão do fluxo de potência bidirecional visando aplicações em veículos elétricos, microrredes e outros. A conversão de potência bidirecional permite por exemplo, que a bateria de um veículo elétrico, possa ser um gerador ou fornecedor de energia para abastecer uma determinada instalação, quando a mesma estiver carregada. No estágio de potência tem-se na sua estrutura dois conversores em meia-ponte cada, denominadas P1 (Ponte P1) e P2 (Ponte P2). Em ambas as pontes são empregados MOSFETs de Carbeto de Silício (SiC) visando redução das perdas e consequentemente melhoria de eficiência do conversor. No desenvolvimento teórico do conversor são apresentados à sua estrutura, suas etapas de operação, seu princípio de funcionamento onde foram desenvolvidas simulações numéricas mostrando a influência do ângulo de defasagem entre os sinais presentes no elemento “indutor” de transferência de potência, e como este ângulo pode influenciar no aumento da potência reativa no elemento “indutor” e automaticamente aumentar as correntes eficazes no elemento “indutor” e principalmente nas chaves de potência MOSFETs SiC, tornando os projetos mais robustos e com maior custo na sua fabricação. A modulação de dois níveis é estudada mostrando que a comutação suave sobre zero de tensão (ZVS) pode ser alcançada neste conversor. As regiões de (ZVS) são apresentadas graficamente. Por fim, procedimentos de projeto são apresentados tais como: cálculo da transferência de potência, cálculos e dimensionamento dos magnéticos, programação do microcontrolador STM32G474RET6 para geração dos sinais de porta (gate) com deslocamento de fase e tempo morto e desenvolvimento dos circuitos elétricos para estágio de potência, gate-drivers, fonte de alimentação chaveada, circuitos de interface e suas respectivas placas de circuito impresso.
dc.format.extent139
dc.language.isopt_BR
dc.rightsRestrito
dc.titleConversor bidirecional cc-cc isolado para carregamento de veículos elétricos com a chave de potência MOSFET SIC: conversor bidirecional
dc.typeTrabalho de Conclusão de Curso
dc.contributor.advisorOrcidhttps://orcid.org/0000-0002-5679-0190
dc.contributor.advisorLatteshttp://lattes.cnpq.br/7391023079374696
fei.date.entrega2023


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Conversor DAB MOSFET SiC .pdf6.085Mbapplication/pdfVer/
Formulário de Avaliação_TCC2.xlsx13.94Kbapplication/vnd.openxmlformats-officedocument.spreadsheetml.sheetVer/
Termo de Autorizacao.pdf343.3Kbapplication/pdfVer/

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