| dc.contributor.advisor | Silva Junior, Walter Pereira | |
| dc.contributor.author | Alencar, Wallace Constantino Alves de | |
| dc.contributor.author | Alves, Gustavo Pimentel | |
| dc.contributor.author | Alves, Marcos Aurélio | |
| dc.contributor.author | Furtado, Lucas Borba | |
| dc.date.accessioned | 2023-12-18T11:51:51Z | |
| dc.date.accessioned | 2026-04-28T15:49:32Z | |
| dc.date.available | 2023-12-18T11:51:51Z | |
| dc.date.available | 2026-04-28T15:49:32Z | |
| dc.date.issued | 2023-12-05 | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.12032/186908 | |
| dc.description.abstract | O presente trabalho apresenta o estudo com simulação numérica e experimental de um
conversor bidirecional de ponte ativa dupla (DAB) com modulação de dois níveis e
deslocamento de fase entre elas para transmissão do fluxo de potência bidirecional visando
aplicações em veículos elétricos, microrredes e outros.
A conversão de potência bidirecional permite por exemplo, que a bateria de um veículo
elétrico, possa ser um gerador ou fornecedor de energia para abastecer uma determinada
instalação, quando a mesma estiver carregada.
No estágio de potência tem-se na sua estrutura dois conversores em meia-ponte cada,
denominadas P1 (Ponte P1) e P2 (Ponte P2). Em ambas as pontes são empregados MOSFETs
de Carbeto de Silício (SiC) visando redução das perdas e consequentemente melhoria de
eficiência do conversor.
No desenvolvimento teórico do conversor são apresentados à sua estrutura, suas etapas
de operação, seu princípio de funcionamento onde foram desenvolvidas simulações numéricas
mostrando a influência do ângulo de defasagem entre os sinais presentes no elemento “indutor”
de transferência de potência, e como este ângulo pode influenciar no aumento da potência
reativa no elemento “indutor” e automaticamente aumentar as correntes eficazes no elemento
“indutor” e principalmente nas chaves de potência MOSFETs SiC, tornando os projetos mais
robustos e com maior custo na sua fabricação.
A modulação de dois níveis é estudada mostrando que a comutação suave sobre zero de
tensão (ZVS) pode ser alcançada neste conversor. As regiões de (ZVS) são apresentadas
graficamente.
Por fim, procedimentos de projeto são apresentados tais como: cálculo da transferência
de potência, cálculos e dimensionamento dos magnéticos, programação do microcontrolador
STM32G474RET6 para geração dos sinais de porta (gate) com deslocamento de fase e tempo
morto e desenvolvimento dos circuitos elétricos para estágio de potência, gate-drivers, fonte de
alimentação chaveada, circuitos de interface e suas respectivas placas de circuito impresso. | |
| dc.format.extent | 139 | |
| dc.language.iso | pt_BR | |
| dc.rights | Restrito | |
| dc.title | Conversor bidirecional cc-cc isolado para carregamento de veículos elétricos com a chave de potência MOSFET SIC: conversor bidirecional | |
| dc.type | Trabalho de Conclusão de Curso | |
| dc.contributor.advisorOrcid | https://orcid.org/0000-0002-5679-0190 | |
| dc.contributor.advisorLattes | http://lattes.cnpq.br/7391023079374696 | |
| fei.date.entrega | 2023 | |