Operação criogênica de transistores SOI-MOS sob a ação de tensão mecânica uniaxial no canal
| dc.contributor.advisor | Pavanello, M. A. | |
| dc.contributor.author | Souza, Márcio A. S. | |
| dc.date.accessioned | 2019-03-21T12:32:12Z | |
| dc.date.available | 2019-03-21T12:32:12Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.identifier.uri | https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/659 | |
| dc.language | por | |
| dc.language.iso | pt_BR | |
| dc.publisher | Centro Universitário da FEI, São Bernardo do Campo | |
| dc.subject | Dispositivos eletromecânicos | |
| dc.subject | Tensão mecânica | |
| dc.title | Operação criogênica de transistores SOI-MOS sob a ação de tensão mecânica uniaxial no canal | pt_BR |
| dc.type | Dissertação | pt_BR |
Files in this item
| Files | Size | Format | View |
|---|---|---|---|
| fulltext.pdf | 2.555Mb | application/pdf | View/ |